(760 darbai)
(6 puslapiai)
Darbo tikslas – susipažinti su interpoliavimo polinomų galimybėmis aprašant objektų statines charakteristikas. Įgyti praktinius įgūdžius darbui su modernia programine įranga MATLAB, kuri procesų valdymo specialistų tarpe labiausiai paplitusi pasaulyje. MATLAB’o listingas savo užduočiai realizuoti. Interpoliavimo polinomų koeficientai (3 ir 4 – os eilės) (panaudojus pagrindinio eksperimento duomenis). Skaityti daugiau(3 puslapiai)
Darbo tikslas - susipažinti su statistinių (regresijos) metodų galimybėmis aprašant objektų statines charakteristikas. Nustatyti koreliacijos koeficientą ir regresijos kreivės (tiesės) parametrus iš pateiktų eksperimentinių duomenų. Palyginti tiesės parametrus gautus taikant MKM ir regresijos metodą. MATLAB’o listingas savo užduočiai realizuoti. Rezultatai. Modeliavimo rezultatus grafinė forma. Skaityti daugiau(7 puslapiai)
Darbo užduotis: Nustatyti diskretinių reguliatorių derinimo parametrus (užrašyti paskaičiuotas reikšmes). Sudaryti diskretinės valdymo sistemos modelį naudojant MATLAB. Atlikti diskretinių valdymo sistemų analizę, naudojant P, PI ir PID valdymo algoritmus. (pateikti VIENĄ programą): Ištirti valdymo sistemų pereinamuosius procesus, kai duotoji valdomo kintamojo vertė pakeičiama šuoliškai. Rasti optimalius reguliatorių derinimo parametrus, leidžiančius gauti pereinamuosius procesus su maždaug 20% santykine dinamine nuokrypa (pateikti grafikus ir užrašyti, su kokiomis reguliatoriaus derinimo parametrų reikšmėmis tie grafikai gauti). Nustatyti pereinamųjų procesų kokybės rodiklius (parodyti grafike ir užrašyti skaitines reikšmes). Ištirti optimaliai suderintos valdymo sistemos su PI reguliatoriumi pereinamuosius procesus, kai sistemą veikia išorinis trikdys (+/- 10 % μ*x). Pateikti grafikus. Ištirti diskretizavimo žingsnio T0 dydžio įtaką diskretinės valdymo sistemos darbo kokybei. Padaryti išvadas. Nustatau diskretinių reguliatorių derinimo parametrus. Sudarau diskretinės valdymo sistemos modelį naudojant MATLAB. Atlikau diskretinių valdymo sistemų analizę, naudojant P, PI, ir PID valdymo algoritmus. Ištyriau diskretizavimo žingsnio T0 dydžio įtaką diskretinės valdymo sistemos darbo kokybei. Tai buvo įvykdyta, sumažinus (padidinus) kvantavimo taktą. Padidinto kvantavimo takto (0.01) grafikas. Išvados. Skaityti daugiau(7 puslapiai)
Darbo užduotis: Remiantis laboratorinio darbo reaktoriaus temperatūros reguliavimas pavyzdžiu suprojektuoti reaktoriaus užpildymo regentais ir temperatūros reguliavimo sistemą, parenkant valdiklį analoginių ir diskretinių įvedimo bei išvedimo signalų modelius. Objektą reaktorių imituoti atskiroje "Concept" projekto sekcijoje. Dviejų reagentų įpylimui į reaktorių ir produkto išpylimui numatyti valdymo punktą. Atlikti temperatūros PID reguliatoriaus parametrų derinimą ir patikrinti reguliavimo kokybę "Concept" imitatoriumi. To paties reguliatoriaus derinimą atlikti automatinio derinimo funkciniu bloku AUTOTUNE. Palyginti abiejų derinimų rezultatus. Laiko pastoviosios T1 ir T2 priklauso nuo reaktoriaus užpildymo lygio. Užpildžius reaktorių 100% laiko pastoviosios išauga 50%. Keičiantis užpildymo lygiui nuo 0 iki 100% pereinamojo proceso perreguliavimas neturi viršyti 15%. Duomenys. Išvados. Skaityti daugiau(2 puslapiai)
Darbo tikslas: pagal pateiktą integrinės schemos topologinį brėžinį sudaryti mikroschemos elektrinę principinę schemą. Nustatyti, pagal kokią technologiją pagaminta mikroschema. Integrinio grandyno topologija. Integrinio grandyno principinė schema. Išvados. Skaityti daugiau(7 puslapiai)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Grafikai. Skaityti daugiau(11 puslapių)
Darbo tikslas: tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse; išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Matavimų grandinių schemos. Darbe tyrinėjamos medžiagos. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Darbo eiga. Ge ir Si diodo VACh matavimas. Stabilitrono KC182Z tiesioginės ir atvirkštinės ir šviesos diodo AЛ307B tiesioginės šakos matavimas. Skaityti daugiau(9 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Prietaisai ir priemonės. Matavimų grandinių schemos. Darbo eiga. Išvada. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiose elektrinėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leidžiamųjų būvių ar rėžimų ribose. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė. Germanio ir Silicio diodų tyrimas. Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas. Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas. Silicio stabilitrono VACh darbinės (atvirkštinės) šakos tyrimas. Silicio stabilitrono VACh matavimas. Silicio stabilitrono parametrų skaičiavimas. Šviesos diodo VACh tyrimas. Šviesos diodo VACh matavimas. Diodinio optrono VACh tyrimas. Diodinio optrono VACh matavimas. Diodinio optrono srovės diferencialinio perdavimo koeficiento skaičiavimas. Bendrosios išvados. Naudotos aparatūros sąrašas. Skaityti daugiau(10 puslapių)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Išmokti naudotis diodų ir diodinių elementų žinynais. Teorinė dalis. Nubraižome matavimų grandinių schemas. Apskaičiuojame diodo teorinės VACH duomenis pagal paprasčiausią VACH formulę. Germanio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Šviesos diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas atvirkštinio jungimo elemento VACh matavimas. Nubraižome tiesioginio jungimo VACh. Nubraižome atvirkštinio jungimo VACh. Diodinis optronas. Apskaičiuojame optrono srovės statinį perdavimo koeficientą, išreikštą nuošimčiais. Germanio diodo ir silicio stabilitrono statinės varžos ir diferencialinės varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės. Silicio stabilitrono diferencialinių varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės.Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Darbo eiga. Germanio diodo D9K tyrimas. Silicio diodo 1N4007 tyrimas. Stabilitrono BZX55C13 tyrimas. Šviesos diodo W1503SRC/F tyrimas. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Laboratorinis darbas Nr. 1. 20 variantas. Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Apskaičiuoju diodo teorinės VACh duomenis. Germanio diodo D20 tyrimas. 2 Silicio diodo BAT85 tyrimas. Šviesos diodo L-53YD tyrimas. Išvados. Skaityti daugiau(1 puslapis)
Darbo tikslas: išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų (IG) savybes, elementus ir IG gamybos technologinius procesus. Darbo rezultatai. Tranzistoriaus su tiesiu kolektoriumi pjūvis ir vaizdas iš viršaus. Tranzistoriaus su П formos kolektoriumi vaizdas iš viršaus. Išvados. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo tikslas. Difuzijos proceso tyrimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Skaityti daugiau(5 puslapiai)
Puslaidininkinių mikroschemų gamybos procesų modeliavimas. Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados. Grafikai (6). Skaityti daugiau(5 puslapiai)
Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Puslaidininkio diodo tyrimas. Research work into semiconductor diode. Anotacija. Annotation. Darbo tikslas. Teorija. Darbo eiga. Laboratorinio darbo rezultatai. Eksperimento išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Tikslas: ištirti puslaidininkio diodo veikimą. Pirmoji schema. Antroji schema. Išvada. Trečioji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Ketvirtoji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Išvada. Skaityti daugiau
