Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (6)
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (6)

  
 
 
12345678
Aprašymas

Darbo tikslas. Teorinė dalis. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė. Germanio ir Silicio diodų tyrimas. Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas. Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas. Silicio stabilitrono VACh darbinės (atvirkštinės) šakos tyrimas. Silicio stabilitrono VACh matavimas. Silicio stabilitrono parametrų skaičiavimas. Šviesos diodo VACh tyrimas. Šviesos diodo VACh matavimas. Diodinio optrono VACh tyrimas. Diodinio optrono VACh matavimas. Diodinio optrono srovės diferencialinio perdavimo koeficiento skaičiavimas. Bendrosios išvados. Naudotos aparatūros sąrašas.

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2008-01-24
DalykasElektronikos laboratorinis darbas
KategorijaElektronika
TipasLaboratoriniai darbai
Apimtis6 puslapiai 
Literatūros šaltiniai2
Dydis172.56 KB
Autoriusgeras dėdė
Viso autoriaus darbų90 darbų
Metai2006 m
Klasė/kursas1
Švietimo institucijaKauno Technologijos Universitetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word 2006_05_15_20_43_01_diodai [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą