(1469 darbai)
(2 puslapiai)
Darbo tikslas: pagal pateiktą integrinės schemos topologinį brėžinį sudaryti mikroschemos elektrinę principinę schemą. Nustatyti, pagal kokią technologiją pagaminta mikroschema. Integrinio grandyno topologija. Integrinio grandyno principinė schema. Išvados. Skaityti daugiau(17 puslapių)
Anotacija. Prasminiai žodžiai. Įvadas.. Tikslai ir užduotys. pn sandūra. Diodų pn sandūrų sudarymo būdai. Lygintuviniai diodai. Puslaidininkiniai stabilitronai. Aukštadažniai diodai. Varikapai. Impulsiniai diodai. Tuneliniai ir atvirkštiniai diodai. Fotodioda. Išvados. Skaityti daugiau(3 puslapiai)
3 namų darbas. Nusirašykite savo užduoties duomenis ir nubraižykite lygintuvo su transformatoriumi schemą. Apskaičiuokite lygintuvo išlygintą vidutinę srovę. Pagal didžiausią tiesioginę leistinąją vidutinę srovę nurodykite jo tipą ir parametrus. Vienoje koordinačių sistemoje nubraižykite lyginamos ir išlygintos įtampų akimirksnių verčių kreives. Brėžinyje parodykite išlygintos įtampos vidutinę vertę, didžiausią ir mažiausią išlygintos įtampos reikšmes. Pasinaudodami šiais dydžiais apytikriai apskaičiuokite išlygintos įtampos pulsacijos koeficientą. Brėžinyje parodykite išlygintos įtampos pulsacijų periodą ir apskaičiuokite pulsacijų dažnį. Apskaičiuokite talpinio filtro galimai mažiausią, tenkinančią sąlygą. Nubraižykite lygintuvo schemą (užduoties 1 p.) papildytą pasirinktu filtru. Užduoties atlikimas. Skaityti daugiau(7 puslapiai)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Grafikai. Skaityti daugiau(11 puslapių)
Darbo tikslas: tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse; išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Matavimų grandinių schemos. Darbe tyrinėjamos medžiagos. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Darbo eiga. Ge ir Si diodo VACh matavimas. Stabilitrono KC182Z tiesioginės ir atvirkštinės ir šviesos diodo AЛ307B tiesioginės šakos matavimas. Skaityti daugiau(9 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Prietaisai ir priemonės. Matavimų grandinių schemos. Darbo eiga. Išvada. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiose elektrinėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leidžiamųjų būvių ar rėžimų ribose. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė. Germanio ir Silicio diodų tyrimas. Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas. Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas. Silicio stabilitrono VACh darbinės (atvirkštinės) šakos tyrimas. Silicio stabilitrono VACh matavimas. Silicio stabilitrono parametrų skaičiavimas. Šviesos diodo VACh tyrimas. Šviesos diodo VACh matavimas. Diodinio optrono VACh tyrimas. Diodinio optrono VACh matavimas. Diodinio optrono srovės diferencialinio perdavimo koeficiento skaičiavimas. Bendrosios išvados. Naudotos aparatūros sąrašas. Skaityti daugiau(10 puslapių)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Išmokti naudotis diodų ir diodinių elementų žinynais. Teorinė dalis. Nubraižome matavimų grandinių schemas. Apskaičiuojame diodo teorinės VACH duomenis pagal paprasčiausią VACH formulę. Germanio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Šviesos diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas atvirkštinio jungimo elemento VACh matavimas. Nubraižome tiesioginio jungimo VACh. Nubraižome atvirkštinio jungimo VACh. Diodinis optronas. Apskaičiuojame optrono srovės statinį perdavimo koeficientą, išreikštą nuošimčiais. Germanio diodo ir silicio stabilitrono statinės varžos ir diferencialinės varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės. Silicio stabilitrono diferencialinių varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės.Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Darbo eiga. Germanio diodo D9K tyrimas. Silicio diodo 1N4007 tyrimas. Stabilitrono BZX55C13 tyrimas. Šviesos diodo W1503SRC/F tyrimas. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Laboratorinis darbas Nr. 1. 20 variantas. Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Apskaičiuoju diodo teorinės VACh duomenis. Germanio diodo D20 tyrimas. 2 Silicio diodo BAT85 tyrimas. Šviesos diodo L-53YD tyrimas. Išvados. Skaityti daugiau(1 puslapis)
Darbo tikslas: išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų (IG) savybes, elementus ir IG gamybos technologinius procesus. Darbo rezultatai. Tranzistoriaus su tiesiu kolektoriumi pjūvis ir vaizdas iš viršaus. Tranzistoriaus su П formos kolektoriumi vaizdas iš viršaus. Išvados. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo tikslas. Difuzijos proceso tyrimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Skaityti daugiau(22 puslapiai)
Integrinių schemų klasifikacija. Gamybos technologijos bendri bruožai. Integrinių schemų (IS) gamybos technologijos bruožai. Integrinių schemų (IS) technologinė higiena. Puslaidininkinių plokštelių paruošimas. Reikalavimai plokštelėms. Monokristalų auginimas. Puslaidininkinių luitų pjaustymosi plokšteles, šlifavimas ir poliravimas. Plokštelių paviršiaus valymas. Silicio plokštelių gamyba. Oksidavimas. Difuzija. Epitaksija. Fotolitografija. Kiti formavimo būdai. Integrinių schemų (IS) korpusai ir sujungimai. Plokštelės dalijimas į kristalus. Integrinių schemų (IS) korpusai. Kristalų tvirtinimas prie korpusų. Mikroschemų hermetizavimas. Baigiamosios operacijos. Skaityti daugiau(5 puslapiai)
Puslaidininkinių mikroschemų gamybos procesų modeliavimas. Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados. Grafikai (6). Skaityti daugiau(5 puslapiai)
Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Puslaidininkio diodo tyrimas. Research work into semiconductor diode. Anotacija. Annotation. Darbo tikslas. Teorija. Darbo eiga. Laboratorinio darbo rezultatai. Eksperimento išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Tikslas: ištirti puslaidininkio diodo veikimą. Pirmoji schema. Antroji schema. Išvada. Trečioji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Ketvirtoji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Išvada. Skaityti daugiau(2 puslapiai)
Darbo tikslas: Puslaidininkinio rezistoriaus varžos matavimas ir varžos funkcinės priklausomybės nuo temperatūros tyrimas. Darbo eiga. Rezultatai. Išvados. Skaityti daugiau
