Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika

Elektronika (1469 darbai)

Rūšiuoti pagal
  • Puslaidininkinės mikroschemos topologijos tyrimas ir elektrinės principinės schemos sudarymas

    Darbo tikslas: pagal pateiktą integrinės schemos topologinį brėžinį sudaryti mikroschemos elektrinę principinę schemą. Nustatyti, pagal kokią technologiją pagaminta mikroschema. Integrinio grandyno topologija. Integrinio grandyno principinė schema. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(2 puslapiai)
    2008-11-17
  • Puslaidininkiniai diodai

    Anotacija. Prasminiai žodžiai. Įvadas.. Tikslai ir užduotys. pn sandūra. Diodų pn sandūrų sudarymo būdai. Lygintuviniai diodai. Puslaidininkiniai stabilitronai. Aukštadažniai diodai. Varikapai. Impulsiniai diodai. Tuneliniai ir atvirkštiniai diodai. Fotodioda. Išvados.
    Elektronika, referatas(17 puslapių)
    2008-12-04
  • Puslaidininkinio lygintuvo analizė

    3 namų darbas. Nusirašykite savo užduoties duomenis ir nubraižykite lygintuvo su transformatoriumi schemą. Apskaičiuokite lygintuvo išlygintą vidutinę srovę. Pagal didžiausią tiesioginę leistinąją vidutinę srovę nurodykite jo tipą ir parametrus. Vienoje koordinačių sistemoje nubraižykite lyginamos ir išlygintos įtampų akimirksnių verčių kreives. Brėžinyje parodykite išlygintos įtampos vidutinę vertę, didžiausią ir mažiausią išlygintos įtampos reikšmes. Pasinaudodami šiais dydžiais apytikriai apskaičiuokite išlygintos įtampos pulsacijos koeficientą. Brėžinyje parodykite išlygintos įtampos pulsacijų periodą ir apskaičiuokite pulsacijų dažnį. Apskaičiuokite talpinio filtro galimai mažiausią, tenkinančią sąlygą. Nubraižykite lygintuvo schemą (užduoties 1 p.) papildytą pasirinktu filtru. Užduoties atlikimas.
    Elektronika, namų darbas(3 puslapiai)
    2010-06-18
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas

    Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Grafikai.
    Elektronika, laboratorinis darbas(7 puslapiai)
    2005-12-07
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (2)

    Darbo tikslas: tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse; išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Matavimų grandinių schemos. Darbe tyrinėjamos medžiagos. Darbo eiga. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(11 puslapių)
    2005-12-09
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (3)

    Darbo tikslas. Darbo eiga. Ge ir Si diodo VACh matavimas. Stabilitrono KC182Z tiesioginės ir atvirkštinės ir šviesos diodo AЛ307B tiesioginės šakos matavimas.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2006-03-21
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (4)

    Darbo tikslas. Teorinė dalis. Prietaisai ir priemonės. Matavimų grandinių schemos. Darbo eiga. Išvada.
    Elektronika, laboratorinis darbas(9 puslapiai)
    2006-04-24
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (5)

    Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiose elektrinėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leidžiamųjų būvių ar rėžimų ribose. Darbo eiga. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2007-01-05
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (6)

    Darbo tikslas. Teorinė dalis. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė. Germanio ir Silicio diodų tyrimas. Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas. Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas. Silicio stabilitrono VACh darbinės (atvirkštinės) šakos tyrimas. Silicio stabilitrono VACh matavimas. Silicio stabilitrono parametrų skaičiavimas. Šviesos diodo VACh tyrimas. Šviesos diodo VACh matavimas. Diodinio optrono VACh tyrimas. Diodinio optrono VACh matavimas. Diodinio optrono srovės diferencialinio perdavimo koeficiento skaičiavimas. Bendrosios išvados. Naudotos aparatūros sąrašas.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2008-01-24
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (7)

    Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Išmokti naudotis diodų ir diodinių elementų žinynais. Teorinė dalis. Nubraižome matavimų grandinių schemas. Apskaičiuojame diodo teorinės VACH duomenis pagal paprasčiausią VACH formulę. Germanio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Šviesos diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas atvirkštinio jungimo elemento VACh matavimas. Nubraižome tiesioginio jungimo VACh. Nubraižome atvirkštinio jungimo VACh. Diodinis optronas. Apskaičiuojame optrono srovės statinį perdavimo koeficientą, išreikštą nuošimčiais. Germanio diodo ir silicio stabilitrono statinės varžos ir diferencialinės varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės. Silicio stabilitrono diferencialinių varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės.Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(10 puslapių)
    2008-11-13
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (8)

    Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Darbo eiga. Germanio diodo D9K tyrimas. Silicio diodo 1N4007 tyrimas. Stabilitrono BZX55C13 tyrimas. Šviesos diodo W1503SRC/F tyrimas.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2010-01-21
  • Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas (9)

    Laboratorinis darbas Nr. 1. 20 variantas. Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Apskaičiuoju diodo teorinės VACh duomenis. Germanio diodo D20 tyrimas. 2 Silicio diodo BAT85 tyrimas. Šviesos diodo L-53YD tyrimas. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2010-03-09
  • Puslaidininkinių integrinių grandynų elementų tyrimas (2)

    Darbo tikslas: išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų (IG) savybes, elementus ir IG gamybos technologinius procesus. Darbo rezultatai. Tranzistoriaus su tiesiu kolektoriumi pjūvis ir vaizdas iš viršaus. Tranzistoriaus su П formos kolektoriumi vaizdas iš viršaus. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(1 puslapis)
    2007-08-17
  • Puslaidininkinių integrinių grandynų gamybos procesų modeliavimas

    Darbo tikslas. Difuzijos proceso tyrimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas.
    Elektronika, laboratorinis darbas(4 puslapiai)
    2006-03-10
  • Puslaidininkinių integrinių schemų gamyba

    Integrinių schemų klasifikacija. Gamybos technologijos bendri bruožai. Integrinių schemų (IS) gamybos technologijos bruožai. Integrinių schemų (IS) technologinė higiena. Puslaidininkinių plokštelių paruošimas. Reikalavimai plokštelėms. Monokristalų auginimas. Puslaidininkinių luitų pjaustymosi plokšteles, šlifavimas ir poliravimas. Plokštelių paviršiaus valymas. Silicio plokštelių gamyba. Oksidavimas. Difuzija. Epitaksija. Fotolitografija. Kiti formavimo būdai. Integrinių schemų (IS) korpusai ir sujungimai. Plokštelės dalijimas į kristalus. Integrinių schemų (IS) korpusai. Kristalų tvirtinimas prie korpusų. Mikroschemų hermetizavimas. Baigiamosios operacijos.
    Elektronika, kursinis darbas(22 puslapiai)
    2005-11-28
  • Puslaidininkinių mikroschemų gamybos procesų modeliavimas

    Puslaidininkinių mikroschemų gamybos procesų modeliavimas. Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados. Grafikai (6).
    Elektronika, laboratorinis darbas(5 puslapiai)
    2005-05-21
  • Puslaidininkinių mikroschemų gamybos procesų modeliavimas (2)

    Darbo tikslas. Darbo eiga ir matavimų rezultatai. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(5 puslapiai)
    2006-04-21
  • Puslaidininkio diodo tyrimas

    Puslaidininkio diodo tyrimas. Research work into semiconductor diode. Anotacija. Annotation. Darbo tikslas. Teorija. Darbo eiga. Laboratorinio darbo rezultatai. Eksperimento išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2006-05-16
  • Puslaidininkio diodo tyrimas (2)

    Tikslas: ištirti puslaidininkio diodo veikimą. Pirmoji schema. Antroji schema. Išvada. Trečioji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Ketvirtoji schema. Pirmas bandymas. Antras bandymas. Trečias bandymas. Išvada.
    Elektronika, laboratorinis darbas(6 puslapiai)
    2008-12-30
  • Puslaidininkių elektrinio laidumo tyrimas (2)

    Darbo tikslas: Puslaidininkinio rezistoriaus varžos matavimas ir varžos funkcinės priklausomybės nuo temperatūros tyrimas. Darbo eiga. Rezultatai. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(2 puslapiai)
    2007-03-20
Puslapyje rodyti po