Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika

Elektronika (1469 darbai)

Rūšiuoti pagal
  • Elektronika (15)

    Aprašykite fotorezistorių, fotodiodų ir spinduolių veikimo principus, nurodykite ir pateikite jų panaudojimo galimybes. Tranzistorinė stiprinimo pakopa. Maitinimo šaltiniai.
    Elektronika, namų darbas(7 puslapiai)
    2007-01-30
  • Elektronika (16)

    PowerPoint pristatymas. Įvadas. Elektronikos naudojimas. Mikrobanginė elektronika. Elektronikos plėtra. Elektronikos pasiekimai. Mikroschemos. Integracijos laipsnis. Kvantinė elektronika.
    Elektronika, pristatymas(8 skaidrės)
    2007-05-15
  • Elektronika (17)

    Pirmojo kontrolinio darbo tikslas. Įtvirtinti žinias iš elektroninių elementų, jų charakteristikų ir elementaraus elektroninių elementų panaudojimo. Antra užduotis - sudaryti elementariausią stiprinimo grandį su bipoliariuoju (dvikrūviu) tranzistoriumi ir grafiškai bei skaičiavimais išanalizuoti jos darbinius parametrus. Užduoties sąlygos. Užduoties vykdymo eiga. Išvados.
    Elektronika, pavyzdys(7 puslapiai)
    2007-05-02
  • Elektronika (18)

    Pagrindinės sąvokos ir apibrėžimai. Elektroninių komponentų tipai, klasifikavimas. Elektrinis laidumas. Puslaidininkių ypatybės. Puslaidininkio kristalinės gardelės struktūra. Puslaidininkio energijos juostų diagrama. Grynieji puslaidininkiai ir jų krūvininkai. Krūvininkų generacija ir rekombinacija. Savasis laidumas. Priemaišinis laidumas. N puslaidininkis. P puslaidininkis. Pertekliniai krūvininkai. Krūvininkų dreifas. Krūvininkų difuzija. PN sandūra. PN sandūra nesant išorinės įtampos. PN sandūra prijungus atvirkštinę įtampą. sandūra prijungus tiesioginę įtampą. Realiojo pn darinio voltamperinė charakteristika. PN sandūros varžos. PN sandūros talpos. Sandūrų atmainos. Diodai. Diodo voltamperinės charakteristikos. Diodo atvirkštinio jungimo voltamperinės charakteristikos. Germanio ir silicio diodų charakteristikos. Diodo matematinis modelis ir atstojamoji grandinė. Diodo parametrai. Diodo ribiniai parametrai. Diodų temperatūrinės savybės. Diodų sudarymo bodai. Lygintuviniai diodai. Aukštadažniai diodai. Impulsiniai diodai. Stabilitronai. Varikapai. Šotkio diodai. Fotodiodai. Šviesos diodai. Tuneliniai diodai. Atvirkštiniai diodai. Gano diodai. Puslaidininkiai lazeriai.
    Elektronika, špera(14 puslapių)
    2007-09-12
  • Elektronika (19)

    4 laboratoriniai. Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Darbo eiga. Grafikai. Išvados. Lauko tranzistorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados. Dvikrūvių (bipoliarųjų) tranzistorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados. Tunelinio diodo ir tiristorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados.
    Elektronika, laboratorinis darbas(34 puslapiai)
    2007-12-08
  • Elektronika (2)

    Litavimas. Matavimai. Lygintuvas. Multivibratorius. Žemo dažnio stiprintuvas. Loginiai telktiniai mikrograndynai (integrinės mikroschemos).
    Elektronika, laboratorinis darbas(30 puslapių)
    2005-12-02
  • Elektronika (20)

    4 elektronikos laboratoriniai darbai. Susipažinimas su mikroelektronikos uždaviniais ir pagrindiniais mikroschemų tipais. Pn sandūrų voltamperinių charakteristikų skaičiavimas ir analizė. Pn sandūrų voltamperinių charakteristikų eksperimentinis tyrimas. Pn sandūrų talpų tyrimas.
    Elektronika, laboratorinis darbas(14 puslapių)
    2008-01-18
  • Elektronika (21)

    Analoginiai signalai ir jų charakteristikos. Analoginio signalo struktūros. Laikinė ir dažninė signalo aprašymo formos. Signalų šaltiniai. Signalo imtuvai. Stiprintuvo ekvivalentinė schema. Stiprintuvo parametrai. Stiprinimo koeficientai. Stiprintuvų atmainos. Stiprintuvo perdavimo (amplitudė) charakteristikos. Dažninės (amplitudė ir fazės) charakteristikos. Stiprintuvų klasifikacija pagal dažninės charakteristikos formą. Tiesiniai ir netiesiniai iškraipymai stiprintuvuose. Jų atsiradimo priežastys. Grįžtamieji ryšiai stiprintuvuose (Apibrėžimas). Stiprinimo koeficientas grįžtamuoju ryšiu Teigiamasis ir neigiamasis grįžtamasis ryšys. Neigiamojo grįžtamojo ryšio įtaka stiprintuvo amplitudinei ir dažninei charakteristikai. Grįžtamųjų ryšių tipai pagal prijungimą prie įėjimo grandinės ir pagal prijungimą prie išėjimo grandinės. Neigiamoji grįžtamojo ryšio įtaka stiprintuvo įėjimo varžai. Neigiamoji grįžtamojo ryšio įtaka stiprintuvo išėjimo varžai. Stiprinimo pakopos. Apibrėžimas. Plačiausiai taikomos pakopos. Bendrojo emiterio pakopos skaičiavimas grafiniu metodu.(pakopos dinaminė charakteristika. BE pakopos tranzistoriaus darbo taško fiksavimo ir stabilizavimo būdai. BE pakopos stiprinimo koeficientas, įėjimo ir išėjimo varžos. Įtampos kartotuvas. Schema, savybės, ir (stiprinimo koeficientas, įėjimo ir išėjimo varžos.). Nuolatinio signalo stiprintuvas, savybės.Nulio dreifas. Diferencinė pakopa, jos savybės. Įėjimo signalų tipai. Diferencinės pakopos signalo stiprinimas. Operaciniai stiprintuvai ir jų taikymas. Idealių OS. Tiesiniais keitikliais. Tiesinius invertuojančius ir neinvertuojančius stiprintuvus. Neinvertuojantis (tiesioginis) OS. Komparatorius (lygio fiksatorius).
    Elektronika, špera(7 puslapiai)
    2008-09-11
  • Elektronika (22)

    Optiniai ir fotoelektriniai reiškiniai puslaidininkiuose. Pn sandūra ir jos savybės. Fotorezistorius. Varistoriai. Tenzorezistoriai. Puslaidininkinis diodas. Šotkio diodai. Lygintuvinis diodas. Stabilitronas. Varikapas. Tunelinis diodas. Fotodiodas. Tranzistorių H parametrai. Dvipolis tranzistorius. Tranzistorių dinaminis darbo rėžimas. Tranzistoriaus BE jungimas schemoje. Tranzistoriaus statinės įėjimo ir išėjimo charakteristikos BE jungimo schemoje. Tranzistoriaus darbas jungiklio rėžime. Lauko tranzistorius ir valdančiąja PN sandūra. Lauko tranzistorius su izoliuota užtūra ir su pradiniu N kanalu. Lauko tranzistoriai su izoliuota užtūra ir su indukuotu N kanalu. Hibridiniai integriniai mikrograndynai. Diodinis tiristorius. Triodinis tiristorius (trinistorius). Pagrindiniai loginiu elementų parametrai. Puslaidininkiniai integriniai mikrograndynai. Jų elementai. Skaitmeniniai integriniai mokrograndynai (loginiai elementai). Integrinių mikrograndynų gamybos technologiniai procesai. Elektroninis vamzdis (EV). Joniniai skaitmeniniai indikatoriai. Puslaidininkiniai indikatoriai. Skystųjų kristalų indikatoriai. Šviesos diodas. Puslaidininkinis lazeris. Fototranzistorius. Fototiristorius. Optronas. Šviesolaidis. Optinis kabelis. Diodiniai optronai. Rezistoriniai optronai. Tranzistoriniai optronai. Tiristoriniai optronai.
    Elektronika, špera(16 puslapių)
    2010-12-22
  • Elektronika (3)

    Signalas. Informacija. Elektrovakuuminiai prietaisai. Elektroninės lempos. Diodas. Triodas. Tetrodas. Pentodas. Puslaidininkiai elektronikoje. Puslaidininkiais. Termorezistorius. Fotorezistorius. Varistorius. P-n sandūra. Puslaidininkiai (P) diodai. Diodų modifikacijos. Dvipolis tranzistorius. Tranzistoriaus hibridiniai (h) parametrai. Ribiniai tranzistoriaus parametrai. Lauko tranzistoriai ir tiristoriai. Puslaidininkiniai optoelektroniniai prietaisai. Mikroelektronika.
    Elektronika, špera(4 puslapiai)
    2005-12-20
  • Elektronika (4)

    Elektronikos individuali užduotis: Rasti siurblio darbo tašką (našumą Q, sudaromą slėgio aukštį H, naudingumo koeficientą, naudingąją ir gaunamąją galią).
    Elektronika, namų darbas(6 puslapiai)
    2006-02-08
  • Elektronika (5)

    Elektronikos užduotys. Kristalinė gardelė – deimanto tipo, jos konstanta a. Raskime atomų skaičių, tenkantį gardelės narveliui, atstumą tarp artimiausių atomų ir atominį spindulį; Raskime ilgius atkarpų, kurias koordinačių ašyse atkerta kristalografinės plokštumos, kurių indeksai (213) ir (210); Raskime tikimybes, kad 300 K temperatūroje energijos lygmenys yra užpildyti elektronų; Raskime metalo elektrono vidutinę kinetinę energiją absoliučiojo nulio temperatūroje; Vario tankis – 8920 kg/m3, atominė masė – 63,54. Kiekvienas vario atomas sukuria vieną laidumo elektroną. Raskime vario Fermio energiją ir vidutinę elektrono energiją absoliučiojo nulio temperatūroje; Raskime grynojo silicio laisvojo elektrono vidutinę kinetinę energiją ir vidutinį kvadratinį greitį 0 K ir 300 K temperatūrose; Išveskime neišsigimusios sistemos dalelės tikimiausios kinetinės energijos išraišką; Apskaičiuokime didžiausią elektronų koncentraciją, kuriai esant kietojo kūno elektronai 300 K temperatūroje sudaro neišsigimusią sistemą; Raskime germanio ir silicio savųjų krūvininkų koncentracijų santykį 300 K temperatūroje; Apskaičiuokime, kiek kartų pakis silicio savųjų krūvininkų koncentracijos kylant temperatūrai nuo 20 iki 100 0C. Silicio plokštelė legiruota fosforu. Fosforo koncentracija 1015 cm–3. Raskime elektronų, skylių koncentracijas ir Fermio lygmens padėtį 300 K temperatūroje. Germanio plokštelė legiruota boru. Boro koncentracija 1016 cm–3. Raskime elektronų ir skylių koncentracijas puslaidininkyje 300 K temperatūroje. Silicis legiruotas fosforu ir boru. Fosforo koncentracija – 1017 cm–3, boro – 1016 cm-3. Raskime krūvininkų koncentracijas 300 K temperatūroje. Elektronų judrumas grynajame silicyje 300 K temperatūroje yra 1500 cm2/(Vs). Laikydami, kad elektrono efektinė masė lygi jo ramybės masei, apskaičiuosime vidutinį laisvąjį elektrono kelią ir palyginsime jį su gardelės konstanta a=0,543 nm. Apskaičiuokime grynojo silicio savitąjį laidumą ir savitąją varžą 300 K temperatūroje. Kaip ir kiek kartų pakistų grynojo silicio, n silicio ir vario bandinių varžos kylant temperatūrai nuo 300 iki 340 K? Silicio dreifinio npn tranzistoriaus bazėje priemaišų koncentracija kinta eksponentiniu dėsniu. Bazės storis – 1 m. Įvertinkime elektrinio lauko stiprį tranzistoriaus bazėje. Silicio pn sandūra – staigi. Apskaičiuokime kontaktinį potencialų skirtumą ir potencialo barjero aukštį pn sandūroje, kai T=300 K. Kiek kartų germanio diodo soties srovė stipresnė už tokio pat silicio diodo soties srovę 300 K temperatūroje? Tekant per puslaidininkinį diodą 5 mA srovei, pn sandūroje krinta 0,7 V įtampa. Diodo p ir n sričių varža – 20. Raskime diodo tiesioginę įtampą. Silicio pn sandūroje krinta 0,7 V tiesioginė įtampa. Kiek kartų tekanti per pn sandūrą srovė stipresnė už soties srovę, kai T=300 K? Apskaičiuokime staigiosios silicio pn sandūros storį, kai .. Silicio bandinyje tarp sričių, kuriose priemaišų koncentracijos ir sudaryta staigioji pn sandūra, kurios plotas – 0,1 mm2. Kaip ir kiek kartų pakis sandūros barjerinė talpa atgalinei įtampai pakilus nuo 1 iki 5 V? 300 K temperatūroje per silicio pn sandūrą, veikiant 0,8 V tiesioginei įtampai, teka 10 mA srovė. Krūvininkų gyvavimo trukmė – 1 s. Apskaičiuokime pn sandūros difuzinę talpą. Sandūra sudaryta tarp metalo ir n puslaidininkio. Elektronų išlaisvinimo iš metalo darbas – 1,4 eV, išlaisvinimo iš puslaidininkio darbas – 1 eV. Prijungus tarp puslaidininkio ir metalo sričių 0,4 V įtampą, 300 K temperatūroje teka 0,1 A srovė. Koks būtų srovės stipris, pakeitus įtampos poliškumą?
    Elektronika, uždavinys(7 puslapiai)
    2006-02-24
  • Elektronika (6)

    Elektronikos užduotys. Elektronų judrumas grynajame silicyje 300 K temperatūroje yra 1500 cm2/(Vs). Laikydami, kad elektrono efektinė masė lygi jo ramybės masei, apskaičiuosime vidutinį laisvąjį elektrono kelią ir palyginsime jį su gardelės konstanta a=0,543 nm; Apskaičiuokime grynojo silicio savitąjį laidumą ir savitąją varžą 300 K temperatūroje; Kaip ir kiek kartų pakistų grynojo silicio, n silicio ir vario bandinių varžos kylant temperatūrai nuo 300 iki 340 K?; Silicio dreifinio npn tranzistoriaus bazėje priemaišų koncentracija kinta eksponentiniu dėsniu. Bazės storis – 1m. Įvertinkime elektrinio lauko stiprį tranzistoriaus bazėje; Silicio pn sandūra – staigi. Apskaičiuokime kontaktinį potencialų skirtumą ir potencialo barjero aukštį pn sandūroje, kai T=300 K. Kiek kartų germanio diodo soties srovė stipresnė už tokio pat silicio diodo soties srovę 300 K temperatūroje? Tekant per puslaidininkinį diodą 5 mA srovei, pn sandūroje krinta 0,7 V įtampa. Diodo p ir n sričių varža – 20. Raskime diodo tiesioginę įtampą. Silicio pn sandūroje krinta 0,7 V tiesioginė įtampa. Kiek kartų tekanti per pn sandūrą srovė stipresnė už soties srovę, kai T=300 K? Apskaičiuokime staigiosios silicio pn sandūros storį, kai... Silicio bandinyje tarp sričių, kuriose priemaišų koncentracijos ir sudaryta staigioji pn sandūra, kurios plotas – 0,1 mm2. Kaip ir kiek kartų pakis sandūros barjerinė talpa atgalinei įtampai pakilus nuo 1 iki 5 V? Sandūra sudaryta tarp metalo ir n puslaidininkio. Elektronų išlaisvinimo iš metalo darbas – 1,4 eV, išlaisvinimo iš puslaidininkio darbas – 1 eV. Prijungus tarp puslaidininkio ir metalo sričių 0,4 V įtampą, 300 K temperatūroje teka 0,1 A srovė. Koks būtų srovės stipris, pakeitus įtampos poliškumą?
    Elektronika, uždavinys(4 puslapiai)
    2006-02-24
  • Elektronika (7)

    Elektronikos namų darbai. Apskaičiuokite kontaktinį potencialų skirtumą tarp pn sandūros sričių ir potencialo barjero aukštį. Apskaičiavę nuotolius tarp laidumo juostos dugno bei valentinės juostos viršaus ir Fermio lygmens, įvertindami potencialo barjero aukštį pn sandūroje, sudarykite juostinį modelį. Puslaidininkio pn sandūros juostinis modelis. Apskaičiuokite pn sandūros storį, kai neveikia išorinė įtampa. Kaip ir kiek kartų pasikeistų pn sandūros storis prijungus 2V atgalinę įtampą. Apskaičiuokite pn sandūros barjerinę talpą veikiant 2 V voltų atgalinei įtampai. Apskaičiuokite pn sandūros barjerinę talpą, kai per sandūrą teka 2 mA tiesioginė srovė.
    Elektronika, namų darbas(7 puslapiai)
    2006-03-07
  • Elektronika (9)

    Raskite savųjų krūvininkų koncentracijas 300K temperatūroje. Kaip ir kiek kartų pakistų savųjų krūvininkų koncentracijos temperatūrai pakitus 560C? Kokios būtų krūvininkų koncentracijos 300K temperatūroje puslaidininkį legiravus donorinėmis priemaišomis, kurių koncentracija N=1017cm-3? Apskaičiavę Fermio lygmens nuotolį nuo laidumo juostos dugno arba valentinės juostos viršaus, sudarykite puslaidininkio energijos lygmenų diagramą 300K temperatūroje. Kokiomis savybėmis puslaidininkis pasižymėtų temperatūrai pakilus 560C? Kokios būtų krūvininkų koncentracijos? Kokias savybes puslaidininkis įgytų 300K temperatūroje ir kokios būtų krūvininkų koncentracijos puslaidininkį legiravus kito tipo akceptorinėmis priemaišomis, kurių koncentracija N=1018cm-3.
    Elektronika, namų darbas(4 puslapiai)
    2006-09-20
  • Elektronikos inžinerija ir vadyba: puslaidininkinių gaminių kompanija "Agilent Technologies" ir tranzistorių gamintoja "Fairchild semiconductors"

    Moderniosios elektronikos kursinis darbas. Išnagrinėtos dvi elektronikos komponentų gamybos kompanijos: "Agilent technologies" ir "Fairchild semiconductors". Įvadas. "Agilent (Avago) Technologies" kompanija: didžiausia privataus kapitalo nepriklausoma puslaidininkinių gaminių kompanija. Istorija. Specializacija. "Fairchild Semiconductors" kompanija: tranzistorių gamyba. Istorija. Specializacija. Ekonominių rodiklių įvertinimas. Gaminamų elementų, įtaisų ir technologinių procesų specifika. Gaminių nomenklatūra. Šviesos diodai. Teoriniai pagrindai, technologija, pagrindiniai parametrai, savybės, panaudojimo pavyzdžiai ir kainų charakteristika. LED (light-emitting diode) diodų panaudojimo pavyzdžiai. Firmų naujienos, perspektyvos ir naujausi gaminiai. Išvados.
    Elektronika, kursinis darbas(17 puslapių)
    2008-11-07
  • Elektronikos įtaisai

    Įvadas. Difuzinio proceso tyrimas. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. Aptarkime šį grafiką. Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. Aptarkime šiuos grafikus. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. Aptarkime šį grafiką. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Aptarkime šį grafiką. Išvados. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus. Išvados. Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 15 mV. Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 727. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 8, 12, 16 V. Aptarkime šį grafiką. Apskaičiuoti lauko tranzistoriaus parametrus nurodytame darbo taške. Sudaryti lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą. Apskaičiuoti fT, kai C11= 10 pF, C11= 20 pF. Apskaičiuoti kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įėjimo įtampos amplitudė yra 30 mV. Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 834. PAB juostinio filtro projektavimas. Suprojektuoti paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinį filtrą (vėlinimo liniją). Paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinio filtro skaičiavimas.
    Elektronika, kursinis darbas(20 puslapių)
    2006-11-03
  • Elektronikos įtaisai ir jų gamybos procesai

    Įvadas. Difuzijos proceso tyrimas. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas.
    Elektronika, kursinis darbas(18 puslapių)
    2006-04-04
  • Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas

    Elektronikos įtaisų kursinis darbas. Difuzijos proceso tyrimas. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Dvipolio tranzistoriaus tyrimas. Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus. Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 15 mV. Rasti žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 198 Ω. Lauko tranzistoriaus tyrimas. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 6, 10, 14 V. Apskaičiuosime lauko tranzistoriaus parametrus duotajame darbo taške. Sudarykime lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą. Apskaičiuosime fT kai C11= 8 pF ir 13 pF. Apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovę, kai kintamosios įtampos amplitudė yra 430 mV. Rasime žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 785 Ω. PAB juostinio filtro projektavimas. Išvados.
    Elektronika, kursinis darbas(21 puslapis)
    2006-05-15
  • Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (2)

    Elektronikos įtaisų kursinis darbas. Įvadas. Terminis difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas po priemaišų įterpimo etapo. Priemaišų srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas priemaišų įterpimo etape. Priemaišų pasiskirstymas po priemaišų perskirstymo etapo. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Dvipolio tranzistoriaus h parametrų skaičiavimas. Tranzistoriaus pavidalo ekvivalentinės grandinės schema, jos elementų parametrai. Išėjimo srovės kintamosios dedamosios skaičiavimas. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficiento radimas. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikos. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas. Lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schema. Skaičiavimas. Išėjimo srovės kintamosios dedamosios skaičiavimas. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficiento radimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Filtro parametrų skaičiavimas. Filtro brėžiniai. Išvados.
    Elektronika, kursinis darbas(31 puslapis)
    2006-09-25
Puslapyje rodyti po