Elektronikos užduotys. Elektronų judrumas grynajame silicyje 300 K temperatūroje yra 1500 cm2/(Vs). Laikydami, kad elektrono efektinė masė lygi jo ramybės masei, apskaičiuosime vidutinį laisvąjį elektrono kelią ir palyginsime jį su gardelės konstanta a=0,543 nm; Apskaičiuokime grynojo silicio savitąjį laidumą ir savitąją varžą 300 K temperatūroje; Kaip ir kiek kartų pakistų grynojo silicio, n silicio ir vario bandinių varžos kylant temperatūrai nuo 300 iki 340 K?; Silicio dreifinio npn tranzistoriaus bazėje priemaišų koncentracija kinta eksponentiniu dėsniu. Bazės storis – 1m. Įvertinkime elektrinio lauko stiprį tranzistoriaus bazėje; Silicio pn sandūra – staigi. Apskaičiuokime kontaktinį potencialų skirtumą ir potencialo barjero aukštį pn sandūroje, kai T=300 K. Kiek kartų germanio diodo soties srovė stipresnė už tokio pat silicio diodo soties srovę 300 K temperatūroje? Tekant per puslaidininkinį diodą 5 mA srovei, pn sandūroje krinta 0,7 V įtampa. Diodo p ir n sričių varža – 20. Raskime diodo tiesioginę įtampą. Silicio pn sandūroje krinta 0,7 V tiesioginė įtampa. Kiek kartų tekanti per pn sandūrą srovė stipresnė už soties srovę, kai T=300 K? Apskaičiuokime staigiosios silicio pn sandūros storį, kai... Silicio bandinyje tarp sričių, kuriose priemaišų koncentracijos ir sudaryta staigioji pn sandūra, kurios plotas – 0,1 mm2. Kaip ir kiek kartų pakis sandūros barjerinė talpa atgalinei įtampai pakilus nuo 1 iki 5 V? Sandūra sudaryta tarp metalo ir n puslaidininkio. Elektronų išlaisvinimo iš metalo darbas – 1,4 eV, išlaisvinimo iš puslaidininkio darbas – 1 eV. Prijungus tarp puslaidininkio ir metalo sričių 0,4 V įtampą, 300 K temperatūroje teka 0,1 A srovė. Koks būtų srovės stipris, pakeitus įtampos poliškumą?
72.88 KB
