Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (8)
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (8)

  
 
 
123456789101112131415161718192021222324252627282930
Aprašymas

Įvadas. Terminės difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas po priemaišų įterpimo etapo. Priemaišos srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas priemaišų įterpimo etape. Priemaišų pasiskirstymas po priemaišų perskirstymo etapo. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Dvipolio tranzistoriaus h parametrų radimas. Tranzistoriaus pavidalo ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas, jos elementų parametrų radimas. Išėjimo srovės kintamosios dedamosios skaičiavimas, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 66 mV. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficiento radimas, kai apkrovos varža lygi 848. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikos, kai UDS = 9, 11, 13 V. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas darbo taške. Lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schema. fT skaičiavimas, kai C11= 3 pF ir C12= 7 pF. Kintamos išėjimo srovės dedamosios skaičiavimas, kai kintamosios įėjimo įtampos amplitudė yra 201 mV. Žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficiento radimas, kai apkrovos varža lygi 813. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Paviršinių akustinių bangų (PAB) juostinio filtro projektiniai skaičiavimai. Garsolaidžio, surinkimo ir jungimo schemos eskiziniai brėžiniai. Paviršinių akustinių bangų juostinio filtro DACh.

Ištrauka

Elektronika – mokslo ir technikos šaka, tirianti ir pritaikanti praktikoje elektros krūvininkų (elektronų, skylių ir jonų) judėjimo reiškinius, vykstančius vakuume, dujose ir kietuosiuose kūnuose. Šie reiškiniai taikomi įvairiuose elektroniniuose prietaisuose, ypač puslaidininkiuose ir elektroninėse lempose. Elektronika nagrinėja elektroninių prietaisų veikimo teoriją, jų savybes, konstrukciją, technologiją bei šių prietaisų taikymą mokslo ir technikos srityse. XXa. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika, tirianti, kurianti ir gaminanti kompaktiškas, patikimas ir ekonomiškas integrines mikroschemas. Pastaruoju metu elektroninė aparatūra plačiai taikoma visose žmogaus veiklos srityse. Ji tampa vis sudėtingesnė, atlieka vis įvairesnes funkcijas.
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integrinius grandynus (IG)
Elektroniniuose įrenginiuose IG yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje yra rezistorius, kondensatorius arba tranzistorius. IG susideda iš elementų ir komponetų. IG elementu vadinama grandyno dalis, kuri atlieka puslaidininkio elemento (diodo, tranzistoriaus), kondensatoriaus ir t. t. funkciją ir konstruktyviai neatskiriama nuo IG.
Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinė integracija pasireiškia tuo, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai. Vienas iš didžiausių IG privalumų yra tas, jog integrinių grandynų gamyboje taikomi naujausi skirtingų mokslo šakų (fizika, chemija, biologija, mechanika ir kt.) laimėjimai, taip sudarant galimybes plėtoti IG galimybes ir panaudojimo vietas.
Vienas iš pagrindinių integriniame grandyne naudojamų elementų yra tranzistorius. Tai yra elektronikoje naudojamas puslaidininkinis įtaisas, paprastai naudojamas signalams sustiprinti ar nukreipti. Tranzistorius atsirado 1947 m. gruodžio 16 d. po vieno sėkmingo Johno Bardeeno ir Williamo Brataino atsitiktinio bandymo. Nuo to laiko, tranzistorių technologijos plėtojimas leido pasiekti nanometrinius dydžius ir puikias charakteristikas, o šiuo metu tranzistorius yra pagrindinis IG elementas, be kurio yra neįsivaizduojamas nei vienas prietaisas.
Taip pat viena svarbiausių elektronikos grandžių yra filtrai. Pastaruoju metu vis labiau populiarėja paviršinių akustinių bangų (PAB) filtrai. PAB filtrai įgijo pripažinimą dėl jų gerų selektyviųjų savybių bei mažų gabaritų, kas ypač svarbu taikant juos integriniuose grandynuose. Šiame darbe ištirsime terminės difuzijos procesus, atliksime dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, PAB filtro projektavimą, pagilinsime puslaidininkinės ir funkcinės elektronikos srities žinias. ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2011-05-16
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis28 puslapiai 
Literatūros šaltiniai4
Dydis946.62 KB
Autoriusbambolis
Viso autoriaus darbų17 darbų
Metai2011 m
Klasė/kursas2
Mokytojas/DėstytojasV. Malinauskas
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
FakultetasElektronikos fakultetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word 2007 Termines difuzijos proceso tyrimas tranzistoriu ekvivalentiniu grandiniu schemu sudarymas ir akustoelektroninio itaiso projektavimas (7) [speros.lt].docx
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 28 puslapiai 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 2 Klasė/kursas
  • V. Malinauskas
  • 2011 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą