Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (6)
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (6)

  
 
 
123456789101112131415161718192021222324252627282930
Aprašymas

Elektronikos įtaisų kursinio projekto užduotis. Įvadas. Difuzijos proceso tyrimas. Priemaišos pasiskirstymas po priemaišų įterpimo etapo. Priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. Priemaišos pasiskirstymas po priemaišų perskirstymo etapo. Priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Dvipolio tranzistoriaus h parametrai. Pi pavidalo ekvivalentinės grandinės schema, jos elementų parametrai. Išėjimo srovės kintamoji dedamoji, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 28 mV. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientas, kai apkrovos varža 400. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 4; 8; 12 V 21. Lauko tranzistoriaus parametrai nurodytame darbo taške. Lauko tranzistoriaus ekvivalentinė grandinės schema, kai C11 = 4 pF 22. Kintamąją išėjimo srovės dedamoji, kai kintamosios įėjimo įtampos amplitudė yra 28 mV. Žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientas, kai apkrovos varža lygi 832. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Paviršinių akustinių bangų elektrinio filtro parametrų skaičiavimas. Garsolaidžio ir jungimo schemos eskiziniai brėžiniai ir perdavimo funkcija. Grafiko aptarimas. Išvados.

Ištrauka

Elektronika – tai mokslo ir technikos šaka, tirianti ir praktiškai naudojanti reiškinius, kurie vyksta judant krūvininkams įvairioje aplinkoje. XX a. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika. Mikroelektronika – plati šiuolaikinės elektronikos sritis, apimanti mikroelektronikos gaminių – integralinių mikroschemų – tyrimą, konstravimą, gamybą ir taikymą. Mikroelektronika remiasi fundamentaliaisiais mokslais (matematika, chemija, fizika) ir taikomaisiais mokslais ( mechanika, optika ir t.t.).
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integralinė mikroschema – signalams apdoroti skirtas mikroelektronikos gaminys, kurio elementai ir juos jungiantieji laidūs takeliai suformuoti vienu technologinių procesų ciklu ir sudaro nedalomą visumą. Jos skirstomos į sluoksnines, hibridines ir puslaidininkines.
Šiame kursiniame darbe plačiau panagrinėsime terminės difuzijos procesus, įvairių parametrų priklausomybę nuo laiko ir temperatūros.
Antrojoje dalyje aptarsime dvipolio tranzistoriaus charakteristikas, apskaičiuosime h parametrus, sudarysime pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasime jos elementų parametrus, apskaičiuosime išėjimo srovės kintamąją dedamąją prie kintamos įėjimo įtampos. Taip pat rasime žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą prie tam tikros nurodytos apkrovos varžos.
Trečiojoje dalyje panagrinėsime lauko tranzistorių, atliksime parametrų skaičiavimus, sudarysime ekvivalentinės grandinės schemą, bei apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovės dedamąją prie tam tikros nurodytos kintamosios įėjimo įtampos amplitudės ir rasime žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą.
Paskutinėje dalyje suprojektuosime paviršinių akustinių bangų juostinį filtrą. Aptarsime šio filtro sudarymo metodiką, išnagrinėsime jo sandarą, ir pateiksime filtro dažninę amplitudės charakteristiką, kuri parodo filtro pralaidumo juostos plotį. Aptarsime gautus grafikus bei padarysime išvadas. ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2009-03-27
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis28 puslapiai 
Literatūros šaltiniai5
Dydis463.3 KB
AutoriusMarius
Viso autoriaus darbų9 darbai
Metai2008 m
Klasė/kursas3
Mokytojas/DėstytojasKęstutis Breivė
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
FakultetasElektronikos fakultetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word Termines difuzijos proceso tyrimas [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 28 puslapiai 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 3 Klasė/kursas
  • Kęstutis Breivė
  • 2008 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą