Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas
   
   
   
1
naudingas +1 / nenaudingas 0

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

  
 
 
123456789101112131415161718192021
Aprašymas

Elektronikos įtaisų kursinio projekto užduotis. Įvadas. Terminės difuzijos proceso tyrimas. Terminė priemaišų difuzija. Priemaišų difuzijos mechanizmas ir greitis. Terminės difuzijos proceso tyrimas. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Dvipolių tranzistorių statinės charakteristikos. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas. Tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinė grandinės schema, jos elementų parametrai. Lauko tranzistoriaus tyrimas. Paviršinių akustinių bangų juostinio filtro projektavimas. Paviršinio akustinių bangų juostinio filtro skaičiavimai. Garsolaidžio ir jungimo schemos eskiziniai brėžiniai. PAB filtro įėjimo grandinės perdavimo funkcija. Grafiko aptarimas. Išvados.

Ištrauka

Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integracinės schemos – konstrukcinės, technologinės ir mokslinės bei techninės integracijos rezultatas. Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinė integracija pasireiškia tuo, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai. Pagaliau mokslinė bei techninė integracija pasireiškia tuo, kad integracinių schemų gamyboje taikomi naujausi fizikos, chemijos, metalurgijos, metrologijos bei kitų mokslo ir technikos šakų laimėjimai.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas.
Šiame darbe išdėstoma puslaidininkių legiravimo teorija, difuzijos mechanizmo modeliai, Fiko lygčių sprendiniai analizuojami silicio planariosios technologijos difuzijos procesai, difuzinių sluoksnių parametrų skaičiavimas ir matavimo metodai. Jonų implantacijos fizikiniai pagrindai priemaišų koncentracijų pasiskirstymo profiliai.
Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistorių, diodų) ir pasyviųjų (rezistorių, kondensatorių, jungiamųjų takelių) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (III arba V gr. Periodinės Mendelejevo sistemos) atomai. ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2005-10-05
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis20 puslapių 
Literatūros šaltiniai5
Dydis451.45 KB
AutoriusDorota
Viso autoriaus darbų12 darbų
Metai2004 m
Klasė/kursas2
Mokytojas/DėstytojasA. Geižutis
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word Termines difuzijos proceso tyrimas tranzistoriu ekvivalentiniu grandiniu schemu sudarymas ir akustoelektroninio itaiso projektavimas [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 20 puslapių 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 2 Klasė/kursas
  • A. Geižutis
  • 2004 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
+1
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą