Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (7)

Įvadas. Difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzija vyksta iš begalinio šaltinio. Difuzinio srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas laike, kai difuzijos šaltinis begalinis. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzijos šaltinis ribotas. Priemaišų įvedimo ir perskirstymo temperatūrų įtaka pn sandūros gyliui. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės schemos sudarymas. Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus. Sudaryti tranzistoriaus pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 87 mV. Rasti žemo dažnio įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 461. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės schemos sudarymas. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS =6, 8, 10 V. Apskaičiuoti lauko tranzistoriaus parametrus duotajame darbo taške. Sudaryti lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą. Apskaičiuoti fT kai C11 = 5 pF , C11 =11 pF. Apskaičiuoti kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įtampos amplitudė yra 93 mV. Rasti žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 652. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Paviršinio akustinių bangų juostinio filtro skaičiavimai. PAB juostinio filtro dažninė amplitudės charakteristika. Išvados.