4 laboratoriniai. Puslaidininkinių diodų ir optoelektroninių elementų tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Darbo eiga. Grafikai. Išvados. Lauko tranzistorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados. Dvikrūvių (bipoliarųjų) tranzistorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados. Tunelinio diodo ir tiristorių tyrimas. Darbo tikslas. Teorinė dalis. Tiriamų grandynų schemos. Skaičiavimai, Grafikai. Išvados.
2.34 MB
