Įvadas. Terminai ir apibrėžimai. Telktinių grandynų gamybos technologinis procesas. Mikroschemų elementų konfigūracijos formavimas. Proceso esmė,technologijos operacijų seka, fotorezistų savybės. Fotorezisto sluoksnio formavimas. Fotorezisto eksponavimas. Fotorezisto ryškinimas jo užfiksavimas ir ėsdinimas. Fotorezisto pašalinimo operacija. Fotošablonų gamybos technologija. Elektronolitografijos technologija. Rentgenolitografijos ir jonų litografijos technologijos. Sluoksninių telktinių grandynų padėklai. Vakuumo įtaka plėvelės užterštumui. Plonų plėvelių parametrų kontrolė vakuuminio užgarinimo proceso metu. Jonininė – plazminė plėvelių nusodinimo technologija. Joninio – plazminio nusodinimo pagrindai. Joninis – plazminis nusodinimas, panaudojant termoemisiją. Joninis - plazminis nusodinimas, naudojant aukšto dažnio sroves. Reaktyvinis joninis – plazminis nusodinimas. Magnetroninės plėvelių formavimo technologijos. Joninis ir plazmocheminis ėsdinimai. Įranga joninei plazminei technologijai. Vakuuminio užgarinimo technologija. Vakuuminio užgarinimo pagrindai. Medžiagos atomų srauto sudarymas. Medžiagos kondensavimasis ant padėklų. Puslaidininkio paviršiaus dengimas dielektriku. Terminio oksidavimo pagrindai. Terminio silicio oksidavimo technologija. Kiti silicio oksido gavimo būdai. Silicio nitrido plėvelių technologija. Plonų dielektrinių plėvelių kontrolė. Puslaidininkinės elektronikos technologijos. Difuzijos technologija. Priemaišų pasiskirstymas, difuzantai. Difuzinių pn sandūrų gamybos metodai. Difuzijos sluoksnių parametrų kontrolė. Jonų implantacijos technologija. Jonų implantacijos pagrindai. Priemaišų pasiskirstymas. Įranga jonų implantacijai atlikti. Jonais implantuotų sluoksnių temperatūrinis apdirbimas. Epitaksijos technologija. Epitaksijos būdai. Silicio epitaksijos technologija.
1.75 MB
