Išplėstinė paieška
 
 
Pradžia>Elektronika>Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės

Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės

  
 
 
1234567891011121314
Aprašymas

Įžanga. Silicio-germanio heterosandūriniai bipoliariniai. Tranzistoriai. Srovės režimo logika (CML). Silicio-germanio bandymo priemonės. Valdiklis) Controller. 32 bitų Saugojimo į priekį sumatorius. Spartinančioji atmintinė (Cache). Įgyvendinimas (implementation). Sumatoriaus saugojimo, žiedinės grandinėlės osciliatoriaus bandymas (testavimas). Registro bylos. Centrinio procesorinio įrenginio branduolys(CPU core). 3-D integracija. 3-D integracijos sprendimai. Išvada.

Rašto darbo duomenys
DalykasElektronikos referatas
KategorijaElektronika
TipasReferatai
Apimtis12 puslapių 
Dydis211.08 KB
Failo pavadinimasMicrosoft Word navickas [speros.lt].doc
 
  • Referatai
  • 12 puslapių 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 4 Klasė/kursas
  • prof. R.Navickas
Pasidalink su draugais