Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (6)
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (6)

  
 
 
12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334
Aprašymas

Įvadas. Terminės difuzijos proceso tyrimas (teorinis). Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzija vyksta iš begalinio šaltinio. Difuzinio srauto ir legiravimo dozės kitimas laike, kai difuzijos šaltinis begalinis. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzijos šaltinis baigtinis. Priemaišų įvedimo ir perskirstymo temperatūrų. įtaka pn sandūros gyliui. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Difuzijos proceso tyrimas. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriai. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Paviršinių akustinių bangų (PAB) juostiniai filtrai. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Filtro parametrų skaičiavimas. Išvados.

Ištrauka

Šiuolaikiniai integruotieji grandynai bei mikroprocesoriai - tai daug mažu elementų integruotų i vientisą puslaidininkio monokristalą. Sukūrus panarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinės integracijos esmė ta, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai.
Šiuolaikinės elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Dažnai integrinių grandynų gamybai taikoma terminė priemaišų difuzija.
Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistorių, diodų) ir pasyviųjų (rezistorių, kondensatorių, jungiamųjų takelių) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (III arba V gr. Periodinės Mendelejevo sistemos) atomai.
Difuzija (lot. diffusio - sklidimas) vadinamas kryptinis medžiagos sklidimas koncentracijos mažėjimo kryptimi dėl jos dalelių chaotiškojo judėjimo. Gaminant puslaidininkinius prietaisus ir puslaidininkines integralines schemas, difuzijos reiškinys panaudojamas puslaidininkinių legiravimui. Įvedus, aukštoje temperatūroje, difuzijos būdu į paviršinį puslaidininkio sluoksnį priemaišų, galima pakeisti to sluoksnio laidumo tipą arba sudaryti lokalines kitokio laidumo tipo sritis.
Terminė priemaišų difuzija vyksta dėl difunduojančios medžiagos – difuzanto – koncentracijos gradiento.
Priemaišų atomai į kietuosius kūnus gali skverbtis keliais būdais: užimdami vakansijas, prasisprausdami tarp mazgų ir pasikeisdami vietomis su gretimais atomais (1pav.). ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2007-08-13
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis32 puslapiai 
Literatūros šaltiniai4
Dydis660.95 KB
AutoriusDzigute
Viso autoriaus darbų21 darbas
Metai2004 m
Klasė/kursas2
Mokytojas/DėstytojasV. Malinauskas
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
FakultetasElektronikos fakultetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word Elektronikos itaisu ir ju gamybos procesu modeliavimas ir tyrimas (6) [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 32 puslapiai 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 2 Klasė/kursas
  • V. Malinauskas
  • 2004 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą