Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (3)
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (3)

  
 
 
12345678910111213141516171819202122232425
Aprašymas

Difuzijos proceso tyrimas. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Dvipolio tranzistoriaus tyrimas. Rasti dvipolio tranzistoriaus h parametrus. Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus. Apskaičiuoti išėjimo srovės kintamąją dedamąją, kai kintamoji įėjimo įtampa yra 28 mV. Rasti žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 800Ω. Lauko tranzistoriaus tyrimas. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, kai UDS = 4, 6, 12 V. Apskaičiuosime lauko tranzistoriaus parametrus duotajame darbo taške. Sudarykime lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą. Apskaičiuosime fT kai C11= 7 pF, C11=14 pF. Apskaičiuosime kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įtampos amplitudė yra 20 mV. Rasime žemų dažnių įtampos stiprinimo koeficientą, kai apkrovos varža lygi 604 Ω. PAB juostinio filtro projektavimas. Išvados.

Ištrauka

Elektronika – tai mokslo ir technikos šaka, tirianti ir praktiškai naudojanti reiškinius, kurie vyksta judant krūvininkams įvairioje aplinkoje. XXa. šeštojo dešimtmečio pabaigoje susiformavo nauja elektronikos šaka – mikroelektronika, tirianti, kurianti ir gaminanti kompaktiškas, patikimas ir ekonomiškas integrines mikroschemas. Pastaruoju metu elektroninė aparatūra plačiai taikoma visose žmogaus veiklos srityse. Ji tampa vis sudėtingesnė, atlieka vis įvairesnes funkcijas.
Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integracinės schemos – konstrukcinės, technologinės ir mokslinės bei techninės integracijos rezultatas. Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinė integracija pasireiškia tuo, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai. Pagaliau mokslinė bei techninė integracija pasireiškia tuo, kad integracinių schemų gamyboje taikomi naujausi fizikos, chemijos, metalurgijos, metrologijos bei kitų mokslo ir technikos šakų laimėjimai.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinės mikroschemos – tai šiuolaikinės mikroelektronikos gaminiai, skirti pakeisti signalui ar informacijai kaupti. Integrinės mikroschemos (arba tiesiog mikroschemos) yra sudarytos iš daugelio miniatiūrinių elementų ar jų grupių (komponentų.), kurie atlieka elektronikos elementų (rezistorių, kondensatorių, diodų, tranzistorių) ar jų grupių funkcijas. Mikroschemai ir jos komponentams būdinga tai, kad jų elementai visi kartu sudaro nedalomą visumą; kiekvienas iš jų negali būti naudojamas kaip atskiras vienetas. Integrinės mikroschemas galima suskirstyti į sluoksnines, puslaidininkines ir hibridines.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas. Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistorių, diodų) ir pasyviųjų (rezistorių, kondensatorių, jungiamųjų takelių) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (III arba V gr. Periodinės Mendelejevo sistemos) atomai.

Šiame darbe atliksiu terminės difuzijos proceso tyrimą, dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimą ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymą, PAB filtro projektavimą, atliksiu reikalingus skaičiavimus. ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2006-11-09
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis23 puslapiai 
Literatūros šaltiniai4
Dydis190.71 KB
AutoriusContas
Viso autoriaus darbų2 darbai
Metai2006 m
Klasė/kursas2
Mokytojas/DėstytojasV. Zlosnikas
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
FakultetasElektronikos fakultetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word Elektronikos itaisu ir ju gamybos procesu modeliavimas ir tyrimas (3) [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 23 puslapiai 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 2 Klasė/kursas
  • V. Zlosnikas
  • 2006 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą