Šperos.lt > Elektronika > Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės

Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės

www.speros.ltwww.speros.ltwww.speros.ltwww.speros.ltwww.speros.lt
9.7
  (
2
atsiliepimai)
Atsisiųsti šį darbą
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
www.speros.lt
Aprašymas:
Įžanga. Silicio-germanio heterosandūriniai bipoliariniai. Tranzistoriai. Srovės režimo logika (CML). Silicio-germanio bandymo priemonės. Valdiklis) Controller. 32 bitų Saugojimo į priekį sumatorius. Spartinančioji atmintinė (Cache). Įgyvendinimas (implementation). Sumatoriaus saugojimo, žiedinės grandinėlės osciliatoriaus bandymas (testavimas). Registro bylos. Centrinio procesorinio įrenginio branduolys(CPU core). 3-D integracija. 3-D integracijos sprendimai. Išvada.
Rodyti daugiau
Darbo tipas:Referatai
Kategorija:
Apimtis:

12 psl.

Lygis:

4 klasė / kursas

Švietimo institucija:

Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas

Failo tipas:

Microsoft Word 211.08 KB

Atrask reikiamos informacijos šiame darbe!Atsisiųsti šį darbą