Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės
   
   
   
-1
naudingas 0 / nenaudingas -1

Silicio-germanio heterosandūrinių bipoliarinių tranzistorių (HBT) pagrindu, veikiančio mikroprocesoriaus branduolio bandymų priemonės

  
 
 
1234567891011121314
Aprašymas

Įžanga. Silicio-germanio heterosandūriniai bipoliariniai. Tranzistoriai. Srovės režimo logika (CML). Silicio-germanio bandymo priemonės. Valdiklis) Controller. 32 bitų Saugojimo į priekį sumatorius. Spartinančioji atmintinė (Cache). Įgyvendinimas (implementation). Sumatoriaus saugojimo, žiedinės grandinėlės osciliatoriaus bandymas (testavimas). Registro bylos. Centrinio procesorinio įrenginio branduolys(CPU core). 3-D integracija. 3-D integracijos sprendimai. Išvada.

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2006-06-12
DalykasElektronikos referatas
KategorijaElektronika
TipasReferatai
Apimtis12 puslapių 
Literatūros šaltiniai0
Dydis211.08 KB
AutoriusAidas
Viso autoriaus darbų3 darbai
Metai2006 m
Klasė/kursas4
Mokytojas/Dėstytojasprof. R.Navickas
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word navickas [speros.lt].doc
 

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Referatai
  • 12 puslapių 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 4 Klasė/kursas
  • prof. R.Navickas
  • 2006 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
-1
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą