Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (2)
   
   
   
naudingas +1 / nenaudingas -1

Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas (2)

  
 
 
123456789101112131415161718192021222324
Aprašymas

Elektronikos pagrindų kursinis projektas. Įvadas. Difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzija vyksta iš begalinio šaltinio. Difuzinio srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas laike, kai difuzijos šaltinis begalinis. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzijos šaltinis ribotas. Priemaišų įvedimo ir perskirstymo temperatūrų įtaka pn sandūros gyliui. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Terminės difuzijos proceso tyrimas. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišos pasiskirstymą po priemaišų įterpimo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti, kaip priemaišų įterpimo etape kinta priemaišos srauto tankis ir legiravimo dozė. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišos pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo. Apskaičiuoti ir nubraižyti priemaišų pasiskirstymą tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės grandinės schemos sudarymas. Paviršinių akustinių bangų juostinio filtro projektavimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas.

Ištrauka

Elektronikos gaminiai dabar naudojami beveik visose žmogaus veiklos srityse. Plačiausiai jie taikomi informacijos perdavimo ir apdorojimo grandinėse. Pagrindinė šiuolaikinės technikos sudėtinė dalis yra mikroprocesoriai. Jie sudaryti iš daugybės mažų elementų. Mikroprocesoriai gaminami terminės difuzijos būdu. Šis gamybos būdas reikalauja didelio kruopštumo ir idealios švaros.
Pirmoje kursinio darbo dalyje apžvelgsiu terminės difuzijos procesą, jo eigos parametrų priklausomybę nuo laiko ir temperatūros, pn sandūros gylio. O taip pat svarbią tranzistoriaus charakteristiką - priemaišų pasiskirstymą jame.
Antroje dalyje sudarysiu dvipolio tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schemą ir apskaičiuosiu šios grandinės parametrus.
Trečiojoje dalyje apskaičiuosiu lauko tranzistoriaus parametrus ir sudarysiu ekvivalentinės grandinės schemą.
Akustoelektroniniuose įtaisuose signalams apdoroti panaudojami akustiniai virpesiai ir bangos. Kietojo kūno paviršiniu sluoksniu gali sklisti paviršinės bangos. Tada virpa tik paviršinio sluoksnio, kurio storis apytikriai lygus bangos ilgiui, dalelės.
Ketvirtojoje dalyje aptarsiu paviršinių akustinių bangų filtro projektavimą. Išnagrinėsiu šio filtro sandarą, jo sudarymo metodiką, bei dažninę amplitudės charakteristiką, pagal kurią nustatomas filtro pralaidumo juostos plotis.
Puslaidininkinių prietaisų ir puslaidininkinių integralinių schemų gamyboje naudojami sudėtingi fizikiniai ir cheminiai procesai. Difuzija vadinamas kryptingas medžiagos sklidimas koncentracijos mažėjimo link dėl jos dalelių chaotiškojo judėjimo. Gaminant puslaidininkinius prietaisus ir puslaidininkines integralines schemas, difuzijos reiškinys panaudojamas puslaidininkinių legiravimui. Įvedus, aukštoje temperatūroje, difuzijos būdu į paviršinį puslaidininkio sluoksnį priemaišų, galima pakeisti to sluoksnio laidumo tipą arba sudaryti lokalines kitokio laidumo tipo sritis.
Terminė priemaišų difuzija vyksta dėl difunduojančios medžiagos – difuzanto – koncentracijos gradiento.
Priemaišų atomai į kietuosius kūnus gali skverbtis keliais būdais: užimdami vakansijas, prasisprausdami tarp mazgų ir pasikeisdami vietomis su gretimais atomais (1pav.). ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2006-03-10
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis22 puslapiai 
Literatūros šaltiniai0
Dydis354.6 KB
AutoriusEdfb
Viso autoriaus darbų9 darbai
Metai2004 m
Klasė/kursas4
Mokytojas/Dėstytojasdr. A. Geižutis
Švietimo institucijaVilniaus Gedimino Technikos Universitetas
FakultetasElektronikos fakultetas
Failo pavadinimasMicrosoft Word Termines difuzijos proceso tyrimas tranzistoriu ekvivalentiniu grandiniu schemu sudarymas ir akustoelektroninio itaiso projektavimas [speros.lt].doc
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
  • Kursiniai darbai
  • 22 puslapiai 
  • Vilniaus Gedimino Technikos Universitetas / 4 Klasė/kursas
  • dr. A. Geižutis
  • 2004 m
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
+1
-1
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą