Išplėstinė paieška
 
 
 
Pradžia>Elektronika>Terminės difuzijos proceso tyrimas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas
   
   
   
naudingas 0 / nenaudingas 0

Terminės difuzijos proceso tyrimas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas

  
 
 
1234567891011121314151617181920212223242526
Aprašymas

Įvadas. Terminės difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzija vyksta iš begalinio šaltinio. Difuzinio srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas laike, kai difuzijos šaltinis begalinis. Priemaišų pasiskirstymas, kai difuzijos šaltinis ribotas. Priemaišų įvedimo ir pasiskirstymo temperatūrų įtaka pn sandūros gyliui. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Paviršinių akustinių bangų juostinio filtro projektavimas. Paviršinio akustinių bangų juostinio filtro skaičiavimai. Grafiko aptarimas.

Ištrauka

Sukūrus planarinę diskretinių tranzistorių gamybos technologiją, atsirado galimybės realizuoti grupinius tranzistorių gamybos metodus – apdorojant vieną puslaidininkinę plokštelę, gaminti didelį tranzistorių skaičių. Be to susidarė prielaidos sukurti puslaidininkinę integralinę schemą (IS).
Integracinės schemos – konstrukcinės, technologinės ir mokslinės bei techninės integracijos rezultatas. Integracija – tai dalių, elementų jungimas į visumą. Konstrukcinė integracija pasireiškia tuo, kad visi elektrinės schemos elementai integralinėje schemoje sudaro nedalomą visumą. Technologinės integracijos esmę sudaro tai, kad integralinių schemų gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai. Pagaliau mokslinė bei techninė integracija pasireiškia tuo, kad integracinių schemų gamyboje taikomi naujausi fizikos, chemijos, metalurgijos, metrologijos bei kitų mokslo ir technikos šakų laimėjimai.
Elektroninės aparatūros ir kompiuterizuotų informacinių sistemų pagrindą sudaro puslaidininkiniai integriniai grandynai (IG). Integrinių grandynų gamybai plačiai taikomas priemaišų difuzijos mechanizmas.
Šiame darbe išdėstoma puslaidininkių legiravimo teorija, difuzijos mechanizmo modeliai, Fiko lygčių sprendiniai analizuojami silicio planariosios technologijos difuzijos procesai, difuzinių sluoksnių parametrų skaičiavimas ir matavimo metodai. Jonų implantacijos fizikiniai pagrindai priemaišų koncentracijų pasiskirstymo profiliai.
Difuzijos procesas silicio puslaidininkių integrinių grandinių technologijoje taikomas aktyviųjų (tranzistorių, diodų) ir pasyviųjų (rezistorių, kondensatorių, jungiamųjų takelių) elementų struktūroms formuoti. Siekiant gauti reikalingą savitąją puslaidininkio varžą arba pakeisti laidumo tipą, į silicio kristalą įterpiami kito elemento (III arba V gr. Periodinės Mendelejevo sistemos) atomai. ...

Rašto darbo duomenys
Tinklalapyje paskelbta2005-05-21
DalykasElektronikos kursinis darbas
KategorijaElektronika
TipasKursiniai darbai
Apimtis24 puslapiai 
Literatūros šaltiniai5
Dydis329.83 KB
AutoriusRicka
Viso autoriaus darbų1 darbas
Metai2005 m
Klasė/kursas0
Failo pavadinimasMicrosoft Word Termines difuzijos proceso tyrimas ir akustoelektroninio itaiso projektavimas [speros.lt].DOC
 

Panašūs darbai

Komentarai

Komentuoti

 

 
[El. paštas nebus skelbiamas]

 
 
Ar šis darbas buvo naudingas?
Taip
Ne
0
0
Pasidalink su draugais
Pranešk apie klaidą